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M.2 2280 NVME

Propiedades básicas

Lugar de origen:Hecho en china
Nombre de la marca:PANCUN
Certificación:CE / FCC / ROHS

Propiedades comerciales

Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Especificaciones
Descripción de producto

Características:
★  Cumple con las normas RoHS 2.0
★  Cumple con la especificación NVM Express 1.4
★  Cumple con la especificación PCI Express 4.0
★  Alcanza hasta 7.200 MB/s de lectura y 6.500 MB/s de escritura basado en memoria flash TLC 3D NAND de 112 capas con la opción de 512 MB/1 GB/2 GB DDR4.
★  Conector chapado en oro de PCB de 30 µ"
★  Tecnología anti-azufre implementada para prevenir la sulfuración en el ambiente
★  Gestión de bloques defectuosos de memoria flash
★  Temperatura de funcionamiento: -20℃~75℃; -40℃~85℃
★  Certificado: CE, FCC, ROHS


La unidad de estado sólido M.2 2280 PCIe de Pancun ofrece todas las ventajas de la tecnología de disco flash con interfaz PCIe Gen4x4 y cumple totalmente con el estándar Next Generation Form Factor (NGFF) llamado M.2 CardFormat. El M.2 2280 puede proporcionar una amplia gama de capacidades de hasta 7.680 GB y su rendimiento puede alcanzar hasta 7.200 MB/s de lectura y 6.800 MB/s de escritura basado en memoria flash TLC 3D NAND de 112 capas con la opción de 512 MB/1 GB/2 GB DDR4. Además, el consumo de energía del M.2 2280 es mucho menor que el de los discos duros tradicionales, lo que lo convierte en la mejor solución integrada para nuevas plataformas.
El SSD NVMe M.2 2280 de Pancun ofrece amplias capacidades de temperatura (-40℃~ 85℃) para garantizar una funcionalidad sostenida, una mayor durabilidad y una fiabilidad óptima en aplicaciones críticas.


Equipado con tecnologías avanzadas para una mayor durabilidad, velocidad y eficiencia operativa.


●  LDPC ECC (Código de paridad de baja densidad): Refuerza la capacidad de corrección de errores para extender la longevidad del SSD y la fiabilidad de los datos.


●  Gestión de bloques defectuosos de memoria flash: Identifica y aísla los bloques defectuosos para mantener la integridad de la unidad durante su vida útil.
Mapeo de páginas y sobreaprovisionamiento optimizado: Mejora el rendimiento de escritura sostenido y aumenta la durabilidad a largo plazo.
●  Optimización integral de datos y energía: Incluye TRIM, tecnología Hyper Cache, DataRAID™, SMART Read Refresh™, NVMe Secure Erase y múltiples modos de ahorro de energía.
Con CoreVolt 2 como su principal diferenciador, combinado con una arquitectura PCIe de alta velocidad, gestión avanzada de memoria flash y protección de grado industrial, el M.2 NVMe de Pancun está diseñado específicamente para sistemas de IA de borde, dispositivos autónomos, transporte y otras aplicaciones integradas impulsadas por el rendimiento donde la estabilidad, la velocidad y la protección de datos son esenciales.


Apariencia



Factor de forma
M.2 2280  Interfaz
NVMe PCIe Gen3 x4; PCIe Gen4 x4; M-KEY Dimensiones
80 mm (L) x 22 mm (W) x 3,5 mm (H); Peso
8 g Almacenamiento
Tipo de memoria flash
MEMORIA FLASH 3D NAND Capacidad
Número de pieza pSLC: 32 GB / 64 GB / 128 GB / 256 GB / 512 GB / 1 TB / 1920 GB
Entorno operativo
Temperatura de funcionamiento
-40℃~85℃ Voltaje de funcionamiento
5V ± 5% Rendimiento
Lectura/escritura secuencial
( MB/s)
3D
TLC  64 GB: hasta 50K/120K
128 GB: hasta 1100/550
256 GB: hasta 2300/1100
512 GB: hasta 6500/4000
1 TB: hasta 7200/6300
2 TB: hasta 7200/1800
3840 GB: hasta 7200/6300
7680 GB: hasta 7000/6800
3D pSLC
32 GB: 1000
64 GB: hasta 2300/1100
128 GB: 6500 / 4000
256 GB: hasta 7200/6500
512 GB: hasta 7200/6500
960 GB: hasta 7000/6400
1920 GB: hasta 7000/6000
Lectura/escritura aleatoria 4K
( IOPS )
3D
TLC  64 GB: hasta 50K/120K
128 GB: hasta 50K/120K
256 GB: hasta 100K/240K
512 GB: hasta 220K/605K
1 TB: hasta 450K/1000K
2 TB: hasta 640K/1200K
3840 GB: hasta 540K/1200K
7680 GB: 650K/1200K
3D pSLC
32 GB: 1000
64 GB: hasta 160K/230K
128 GB: hasta 450K/700K
256 GB: hasta 750K/1000K
512 GB: hasta 1000K/1000K
960 GB: hasta 640K/1200K
1920 GB: hasta 750K/1200K
TBW
3D TLC 64 GB: 110
128 GB: 110
256 GB: 240
512 GB: 770
1 TB: 1660
2 TB: 3400
3840 GB: 6800
7680 GB: 13600
3D pSLC
32 GB: 1000
64 GB: 2000
128 GB: 5000
256 GB: 10000
512 GB: 21000
960 GB: 42000
1920 GB: 84000
Tiempo medio entre fallos (MTBF)
2.000.000 horas Nota
● La velocidad puede variar debido al hardware, software, uso y capacidad de almacenamiento del host. ● La carga de trabajo utilizada para calificar DWPD puede ser diferente de su carga de trabajo real, que puede variar debido al hardware, software, uso y capacidad de almacenamiento del host.
● Terabytes escritos (TBW) expresa la resistencia bajo la mayor capacidad.
Certificado
CE / FCC / ROHS Sistema operativo
● Microsoft Windows 7 o posterior ● Kernel de Linux 2.6.31 o posterior
Lista de soporte de características
■ TCG Pyrite/OPAL ■ Protección de escritura
■ Borrado seguro (borrado rápido)
Garantía
● 3D TLC (3 años) pSLC (5 años)
Información de pedido




Capacidad
Número de pieza MEMORIA FLASH 128 GB
PCNV128GT48WTA 256 GB 256 GB
PCNV256GT48WTA 512 GB
PCNV512GT48WTA 960 GB
PCNV001TT48WTA 1920 GB
PCNV002TT48WTA
PCNV004TT48WTA 7480 GB
PCNV008TT48WTA 32 GB

PCNV032GT48WTA MEMORIA FLASH 3D pSLC NAND 64 GB
PCNV064GT48WTA 128 GB
PCNV128GT48WTA 256 GB
PCNV256GT48WTA 512 GB
PCNV512GT48WTA 960 GB
PCNV001TT48WTA 1920 GB
PCNV002TT48WTA


DETALLES DEL CONTACTO
Shenzhen Pancun Technology Co., Ltd.

Persona de contacto: Mr. Richard

Teléfono: +86--13510685504

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