logo

M.2 2280 NVME

Основные свойства

Место происхождения:Сделано в Китае
Наименование марки:PANCUN
Сертификация:CE / FCC / ROHS

Торговая недвижимость

Минимальное количество заказа:1
Условия оплаты:Т/Т
Спецификации
Характер продукции

Особенности:
★  Соответствие стандартам RoHS 2.0
★  Соответствие спецификации NVM Express 1.4
★  Соответствие спецификации PCI Express 4.0
★  Скорость чтения до 7 200 МБ/с и записи до 6 500 МБ/с на основе 112-слойной 3D TLC NAND флэш-памяти с выбором 512 МБ/1 ГБ/2 ГБ DDR4.
★  30 мкм позолоченный контакт на печатной плате
★  Реализована технология защиты от серы для предотвращения сульфидизации в окружающей среде
★  Управление поврежденными блоками флэш-памяти
★  Рабочая температура: -20°C~75°C; -40°C~85°C
★  Сертификаты: CE, FCC, ROHS


Твердотельный накопитель Pancun M.2 2280 PCIe обеспечивает все преимущества флэш-технологии с интерфейсом PCIe Gen4x4 и полностью соответствует стандарту Next Generation Form Factor (NGFF), называемому M.2 CardFormat. M.2 2280 может обеспечивать широкий диапазон емкости до 7 680 ГБ, а его производительность может достигать 7 200 МБ/с при чтении и 6 800 МБ/с при записи на основе 112-слойной 3D TLC NAND флэш-памяти с выбором 512 МБ/1 ГБ/2 ГБ DDR4. Кроме того, энергопотребление M.2 2280 значительно ниже, чем у традиционных
жестких дисков, что делает его лучшим встраиваемым решением для новых платформ.


NVMe SSD Pancun M.2 2280 предлагает широкие температурные возможности (-40°C~85°C) для обеспечения стабильной работы, повышенной долговечности и оптимальной надежности в критически важных приложениях.


Оснащен передовыми технологиями для повышения долговечности, скорости и эффективности работы.


●  LDPC ECC (код с низкой плотностью проверки четности): Усиливает возможности коррекции ошибок для продления срока службы SSD и надежности данных.
●  Управление поврежденными блоками флэш-памяти: Идентифицирует и изолирует поврежденные блоки для поддержания целостности накопителя в течение всего срока службы.
Сопоставление страниц и оптимизированное резервирование: Улучшает производительность при постоянной записи и повышает долговечность в долгосрочной перспективе.
●  Комплексная оптимизация данных и питания: Включает TRIM, технологию Hyper Cache, DataRAID™, SMART Read Refresh™, NVMe Secure Erase и несколько режимов энергосбережения.


Благодаря CoreVolt 2 как ключевому отличию, в сочетании с высокоскоростной архитектурой PCIe, передовым управлением флэш-памятью и защитой промышленного класса, Pancun M.2 NVME специально разработан для периферийных ИИ-систем, автономных устройств, транспорта и других требовательных к производительности встраиваемых приложений, где стабильность, скорость и защита данных имеют решающее значение.



Внешний вид
Форм-фактор M.2  2280
Интерфейс NVMe PCIe Gen3 x4; PCIe Gen4 x4; M-KEY
Размеры 80 мм (Д) x 22 мм (Ш) x 3,5 мм (В);
Вес 8 г
Хранение
Тип флэш-памяти 3D NAND FLASH
Емкость 3D TLC: 128 ГБ / 256 ГБ / 512 ГБ / 1 ТБ / 2 ТБ / 3840 ГБ / 7680 ГБ
pSLC: 32 ГБ / 64 ГБ / 128 ГБ / 256 ГБ / 512 ГБ / 1 ТБ / 1920 ГБ
Рабочая среда
Рабочая температура -40°C~85°C
Рабочее напряжение 5 В ± 5%
Производительность
Последовательное чтение/запись
( МБ/с)
3D  TLC
64 ГБ: до 1100/550
128 ГБ: до 1100/550
256 ГБ: до 2300/1100
512 ГБ: до 6500/4000
1 ТБ: до 7200/6300
2 ТБ: до 7200/1800
3840 ГБ: до 7200/6300
7680 ГБ: до 7000/6800
3D pSLC
32 ГБ: до 1150/550
64 ГБ: до 2300/1100
128 ГБ: 6500 / 4000
256 ГБ: до 7200/6500
512 ГБ: до 7200/6500
960 ГБ: до 7000/6400
1920 ГБ: до 7000/6000
4K случайное чтение/запись
( IOPS )
3D  TLC
64 ГБ: до 50K/120K
128 ГБ: до 50K/120K
256 ГБ: до 100K/240K
512 ГБ: до 220K/605K
1 ТБ: до 450K/1000K
2 ТБ: до 640K/1200K
3840 ГБ: до 540K/1200K
7680 ГБ: 650K/1200K
3D pSLC
32 ГБ: до 90K/120K
64 ГБ: до 160K/230K
128 ГБ: до 450K/700K
256 ГБ: до 750K/1000K
512 ГБ: до 1000K/1000K
960 ГБ: до 640K/1200K
1920 ГБ: до 750K/1200K
TBW 3D TLC
64 ГБ: 110
128 ГБ: 110
256 ГБ: 240
512 ГБ: 770
1 ТБ: 1660
2 ТБ: 3400
3840 ГБ: 6800
7680 ГБ: 13600
3D pSLC
32 ГБ: 1000
64 ГБ: 2000
128 ГБ: 5000
256 ГБ: 10000
512 ГБ: 21000
960 ГБ: 42000
1920 ГБ: 84000
Среднее время между отказами (MTBF) 2 000 000 часов
Примечание ● Скорость может варьироваться в зависимости от аппаратного и программного обеспечения хоста, использования и емкости накопителя.
● Рабочая нагрузка, используемая для оценки DWPD, может отличаться от вашей фактической рабочей нагрузки, которая может варьироваться в зависимости от аппаратного и программного обеспечения хоста, использования и емкости накопителя.
● Терабайты записи (TBW) выражают долговечность при максимальной емкости.
Сертификат CE / FCC / ROHS
Операционная система ● Microsoft Windows 7 или новее
● Linux Kernel 2.6.31 или новее
Список поддерживаемых функций ■ TCG Pyrite/OPAL
■ Защита от записи
■ Безопасное стирание (быстрое стирание)
Гарантия ● 3D TLC (3 года)
pSLC (5 лет)




Информация для заказа
Емкость Номер детали NAND FLASH
128 ГБ PCNV128GT48WTA 3D TLC NAND FLASH
256 ГБ PCNV256GT48WTA
512 ГБ PCNV512GT48WTA
1 ТБ PCNV001TT48WTA
2 ТБ PCNV002TT48WTA
3840 ГБ PCNV004TT48WTA
7480 ГБ PCNV008TT48WTA

32 ГБ PCNV032GT48WTA 3D pSLC NAND FLASH
64 ГБ PCNV064GT48WTA
128 ГБ PCNV128GT48WTA
256 ГБ PCNV256GT48WTA
512 ГБ PCNV512GT48WTA
960 ГБ PCNV001TT48WTA
1920 ГБ PCNV002TT48WTA


ДЕТАЛИ КОНТАКТА
Shenzhen Pancun Technology Co., Ltd.

Контактное лицо: Mr. Richard

Телефон: +86--13510685504

Отправьте ваше дознание сразу в нас
(0/3000)