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M.2 2280 NVME

Grundlegende Eigenschaften

Herkunftsort:In China hergestellt
Markenbezeichnung:PANCUN
Zertifizierung:CE / FCC / ROHS

Immobilienhandel

Mindestbestellmenge:1
Zahlungsbedingungen:T/T
Spezifikationen
Produkt-Beschreibung

Eigenschaften:
★ Konform mit den RoHS 2.0-Standards
★ Konform mit der NVM Express-Spezifikation 1.4
★ Konform mit der PCI Express-Spezifikation 4.0
★ Erreichen Sie bis zu 7.200 MB/s Lesen und 6.500 MB/s Schreiben basierend auf 112Layers 3D TLC NAND Flash mit der Wahl 512MB / 1GB / 2GB DDR4.
★ 30 μ" PCB-Goldfinger
★ Anti-Schwefel-Technologie zur Verhinderung der Schwefelbildung in der Umwelt
★ Flash Bad Block Management
★ Betriebstemperatur: -20°C ~ 75°C; -40°C ~ 85°C
★ Zertifikat: CE, FCC, ROHS


Das ist Pancun's M.2 2280 PCIe Solid State Drive bietet alle Vorteile der Flash-Disk-Technologie mit PCIe Gen4x4-Schnittstelle und ist vollständig kompatibel mit dem Standard Next Generation Form Factor (NGFF) namens M.2 CardFormat. Der M.2 2280 kann eine breite Bandbreite von bis zu 7.680 GB liefern und seine Leistung kann bis zu 7.200 MB/s lesen und 6.800MB/s Schreiben basierend auf 112Layers 3D TLC NAND Flash mit der Wahl 512MB/1GB/2GB DDR4Außerdem ist der Stromverbrauch des M.2 2280 wesentlich geringer als bei herkömmlichen
Festplatten, was es zur besten eingebetteten Lösung für neue Plattformen macht.


Die M.2 2280 NVME SSD von Pancun bietet eine breite Temperaturbereitschaft (-40°C ~ 85°C), um eine nachhaltige Funktionalität, eine verbesserte Langlebigkeit und eine optimale Zuverlässigkeit in missionskritischen Anwendungen zu gewährleisten.


Ausgestattet mit fortschrittlichen Technologien für eine verbesserte Ausdauer, Geschwindigkeit und Betriebseffizienz.


● LDPC ECC (Low-Density Parity-Check Code): Stärkt die Fehlerkorrekturfähigkeit, um die Langlebigkeit und Datenzuverlässigkeit der SSD zu verlängern.
● Flash Bad Block Management: Identifiziert und isoliert schlechte Blöcke, um die Integrität des Laufwerks während seiner Lebensdauer zu erhalten.
Seitenaufstellung und optimierte Überbereitung: Verbessert die dauerhafte Schreibleistung und erhöht die Langzeitbeständigkeit.
● Umfassende Daten- und Stromoptimierung: beinhaltet TRIM, Hyper-Cache-Technologie, DataRAIDTM, SMART Read RefreshTM, NVMe Secure Erase und mehrere Stromsparmodi.


Mit CoreVolt 2 als Schlüsseldifferenzierungsmerkmal kombiniert mit einer Hochgeschwindigkeits-PCIe-Architektur, fortschrittlichem Flash-Management und industriellem Schutz2 NVME ist speziell für Edge AI Systeme entwickelt, autonome Geräte, Transport und andere leistungsorientierte eingebettete Anwendungen, bei denen Stabilität, Geschwindigkeit und Datenschutz unerlässlich sind.



Aussehen
Formfaktor - Ich weiß.2  2280
Schnittstelle NVMe PCIe Gen3 x4; PCIe Gen4 x4; M-Key
Abmessungen 80 mm ((L) x 22 mm ((W) x 3,5 mm ((H);
Gewicht 8 g
Aufbewahrung
Flash-Typ 3D-NAND-Flash
Kapazität 3D TLC:128GB / 256GB / 512GB / 1TB / 2TB / 3840GB / 7680GB
pSLC: 32GB / 64GB / 128GB / 256GB / 512GB / 1TB / 1920GB
Betriebsumfeld
Betriebstemperatur -40°C bis 85°C
Betriebsspannung 5V ± 5%
Leistung
Sequenzielles Lesen/Schreiben
(MB/s)
3D  TLC
64 GB: bis zu 1100/550
128 GB: bis zu 1100/550
256 GB: bis zu 2300/1100
512 GB: bis zu 6500/4000
1 TB: bis zu 7200/6300
2 TB: bis zu 7200/1800
3840 GB: bis zu 7200/6300
7680 GB: bis zu 7000/6800
3D pSLC
32 GB: bis zu 1150/550
64 GB: bis zu 2300/1100
128 GB: 6500 / 4000
256 GB: bis zu 7200/6500
512 GB: bis zu 7200/6500
960 GB: bis zu 7000/6400
1920 GB: bis zu 7000/6000
4K Zufallslesen/Schreiben
(IOPS)
3D  TLC
64 GB: bis zu 50K/120K
128 GB: bis zu 50K/120K
256 GB: bis zu 100K/240K
512 GB: bis zu 220K/605K
1 TB: bis zu 450 K/1000 K
2 TB: bis zu 640K/1200K
3840 GB: bis zu 540K/1200K
7680GB: 650K/1200K
3D pSLC
32 GB: bis zu 90K/120K
64 GB: Bis zu 160K/230K
128 GB: bis zu 450K/700K
256 GB: bis zu 750K/1000K
512 GB: bis zu 1000K/1000K
960 GB: bis zu 640K/1200K
1920GB: bis zu 750K/1200K
TBW 3D TLC
64 GB: 110
128 GB: 110
256 GB: 240
512 GB: 770
1 TB: 1660
2 TB: 3400
3840GB: 6800
7680GB: 13600
3D pSLC
32 GB: 1000
64 GB: 2000
128 GB: 5000
256 GB: 10000
512 GB: 21000
960 GB: 42000
1920 GB: 84000
Durchschnittliche Zeit zwischen Ausfällen (MTBF) 2000000 Stunden
Anmerkung ● Die Geschwindigkeit kann je nach Hardware, Software, Nutzung und Speicherkapazität variieren.
● Die Arbeitsbelastung, die zur Bewertung der DWPD verwendet wird, kann sich von Ihrer tatsächlichen Arbeitsbelastung unterscheiden, die sich aufgrund der Hardware, Software, Nutzung und Speicherkapazität des Hosts unterscheiden kann.
●Terabytes Written (TBW) gibt die Ausdauer unter der höchsten Kapazität an.
Bescheinigung CE / FCC / ROHS
Betriebssystem ● Microsoft Windows 7 oder höher
● Linux-Kernel 2.6.31 oder höher
Unterstützungsliste ■ TCG Pyrit/OPAL
■ Schreiben Schützen
■ Sicheres Löschen (schnelles Löschen)
Gewährleistung ● 3D TLC ((3 Jahre)
pSLC (fünf Jahre)




Bestellinformationen
Kapazität Teilnummer NAND FLASH
128 GB PCNV128GT48WTA 3D TLC NAND FLASH
256 GB PCNV256GT48WTA
512 GB Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.
1 TB Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.
2 TB Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.
3840 GB Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.
7480 GB Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht für die in Absatz 1 genannte Nummer.

32 GB Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. 3D pSLC NAND FLASH
64 GB Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
128 GB PCNV128GT48WTA
256 GB PCNV256GT48WTA
512 GB Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.
960 GB Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.
1920 GB Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.


KONTAKTDATEN
Shenzhen Pancun Technology Co., Ltd.

Gesprächspartner: Mr. Richard

Telefon: +86--13510685504

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